金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“CMOS图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN118782625A，申请日期为2024年7月。 专利摘要显示，本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，属于半导体技术领域，该CMOS图像传感器，包括衬底，其背侧布置有多个光电二极管，且邻近的所述光电二极管之间布置有深沟槽隔离结构，其中所述衬底具有相对的前侧和背侧；多个单元结构，阵列排布于每个所述光电二极管的顶面，用于使光线衍射，其中所述光电二极管的顶面为所述光电二极管背离所述衬底的一侧。通过布设阵列的单元结构，光线通过单元结构衍射，扩大光的有效路径，利用衍射结构扩展有源层内部的有效光路长度，结合深沟槽隔离结构，改善CIS在近红外成像性能，降低像素间串扰。 本文源自金融界