金融界2024年8月21日消息，天眼查知识产权信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“改善FDSOI外延生长的方法及FDSOI器件制造方法“，公开号，申请日期为2024年4月。 专利摘要显示，本发明提供了一种改善FDSOI外延生长的方法及FDSOI器件制造方法，属于半导体技术领域。该改善FDSOI外延生长的方法包括提供一半导体结构；在NMOS区域和PMOS区域生长第一层侧壁；将PMOS区域中的周边区域覆盖的第一层侧壁去除，并在PMOS区域中的周边区域生长一层第一掺杂的外延层；在第一掺杂的外延层表面生长第二层侧壁；将NMOS区域中的周边区域覆盖的第一层侧壁去除，并在NMOS区域中的周边区域生长一层第二掺杂的外延层；在所述第二掺杂的外延层表面生长一层牺牲层；将所述第二层侧壁去除。本发明通过在NMOS区域生长完第二掺杂的外延层之后，再在第二掺杂的外延层的表面生长一层牺牲层，从而通过采用目标区域全面刻蚀（BlankEtch）的方式去除掩膜层时，能够避免导致NMOS区域外延掺杂生长被损坏，也能够确保掺杂的厚度保持不变，从而能够避免后续外延电阻升高。 本文源自金融界